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真空镀膜薄膜的结构特征-广东振华真空镀膜设备

由于薄膜的表面积与块状材料相比较要大得多,因此,很容易受环境气氛和基体状况的影响,除分子束外延法外,采用通常的薄膜方法所制备的薄膜的有序化程度远差于块状林料,其杂质浓度和结构缺陷也高于块状材料。

例如,在超高真空及800℃的条件下在单晶基片上覆以硅膜,具有完整的晶态结构。而基片温度降到室温时,所沉积的硅薄膜则呈现出非晶态结构。例如,钽的块状材料通常是体心立方结构,但是处于薄膜状态下的钽,则会形成四方结构,即8Ta。