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S枪磁控溅射镀膜技术有哪些特点-广东振华真空镀膜设备

S枪磁控溅射镀膜技术始于1968年,克拉克(Clarke)通过圆柱表面内侧的磁通道开发出一种溅射源,这个溅射源被称为“ S枪”或“溅射枪”。S枪磁控溅射镀膜不仅兼具磁控溅射特有的“高速、低温“的镀膜特色,而且由于溅射靶的特殊的冷却方式和靶形,使其具有较高的靶材利用率、膜层厚度均匀、靶溅射密度大和靶材易于更换等优势。

磁控溅射镀膜机

1、S枪磁控溅射构造特点:

特有的“S枪”磁控溅射靶结构是由倒锥形阴极靶、辅助阳极、接地屏蔽罩、可拆卸屏蔽环、极靴、永磁体、水冷套等部件构成。真空镀膜室壁采取接地的方式;以几百伏的负电位接于阴极靶;辅助阳极也可接地(或者接上几十伏的正电位);基片也可接地(可以偏压或悬浮)。

2、靶材与水冷套之间的间隙应具有适当的设计:

(1)当靶不工作时,靶材与水冷套之间保持一定间隙,以便于靶材的更换工作;

(2)当靶工作时,由于受热,靶材与水冷套会紧贴在一起,保证了靶材的散热效果。

3、辅助阳极:

辅助阳极能够把低能电子吸收掉,以此减少基材受到的电子轰击。

4、可拆卸屏蔽环:

可拆卸屏蔽环可防止非靶材部件的发生溅射,并且可以拆卸,便于沉积在环上膜层的清除。

5、异常辉光放电:

在阴极靶表面,环状磁体形成曲线形的磁场,与电场构成正交电磁场。电子在电磁场中作螺旋线和摆线的复合运动,以此产生异常辉光放电。

除上述阳极、阴极、屏蔽环与冷却装置之外,其余部件的作用与其它磁控靶的构件基本相同。S枪磁控溅射镀膜技术的主要优点是寿命长、速率高、面积大、溅射源温度低,比之非磁性的溅射源,该磁控溅射源可实现较低的气压环境下工作,并且拥有更高的溅射镀膜速率。磁控溅射凭借这些优异的特性,成为当前使用最广泛的PVD镀膜技术。