随着先进封装技术的发展，TGV（Through Glass Via）正逐步成为玻璃基板互连的重要方案。凭借低介电损耗、热稳定性好、加工精度高、绝缘性能强等优势，TGV在光通信、MEMS、传感器及高速互连等领域表现突出，并正加速渗透到更多高端应用场景中。

然而，TGV结构的演进也带来了新的制造挑战：孔径趋小、结构更复杂、深宽比不断提高。尤其在30微米孔径、深宽比超过10:1的条件下，要在通孔内部均匀沉积种子层，一直是行业公认的难题。这一环节虽不显眼，却直接影响器件的电气性能与长期稳定性。

一.当前微孔镀膜的挑战

在TGV与TSV等工艺中，常见通孔直径可低至30微米，深宽比要求超过10:1。在此条件下，传统镀膜方法普遍面临：

l 沉积死角：孔壁阴影效应易导致膜层不连续，影响导电与密封性能。

l 膜厚不均：孔底与孔口沉积速率差异显著，易造成局部电阻过高。

l 多材料兼容性不足：在玻璃或硅基材上同时沉积Cu、Ti、W、Ni、Pt等多种膜材时，膜层附着力与均匀性难以兼顾。

这些问题直接影响成品良率，增加返工风险和制程成本，并限制了量产效率。

二.振华真空通孔镀膜设备解决方案

设备优势：

1.深孔镀膜优化

独家深孔镀膜技术：振华真空自主研发的深孔镀膜技术，即便是面对仅 30 微米的微小孔径，也能实现优于 10：1 深宽比，攻克复杂深孔结构的镀膜难题。

2.按需定制，支持不同尺寸

支持不同尺寸的玻璃基板，包括600×600mm /510X515mm或更大规格加工。

3.工艺灵活性，适配多种材料

设备兼容Cu、Ti、W、Ni、Pt等导电或功能性薄膜材料，满足不同应用导电与耐腐蚀需求。

4.设备性能稳定，维护方便

设备配备智能控制系统，实现自动参数调节、实时监测膜厚均匀性；采用模块化设计，维护方便，降低停机时间。

应用范围：可用于 TGV/TSV/TMV 先进封装，能实现深宽比10:1的深孔种子层镀膜。

三.结语

随着先进封装市场的持续增长，微孔与高深宽比结构的比例将进一步提升。振华真空深孔镀膜技术的应用，为应对TGV等新型封装工艺的镀膜难题提供了可量产、可扩展的解决方案，有助于提升封装效率与成品一致性。

——本文由TGV通孔镀膜设备厂家振华真空发布。