29
2024-03
影响薄膜器件质量的工艺要素及作用机理（下）
3.基片温度的影响
基片温度是膜层生长的重要条件之一。它对膜层原子或分子提供额外能量补充，主要影响膜层结构、凝集系数、膨胀系数、聚集密度。宏观反映在膜层折射率、散射、应力、附着力、硬度和不溶性都会因基片温度的不同而有较大差异。
查看详情
29
2024-03
影响薄膜器件质量的工艺要素及作用机理（上）
光学薄膜器件的制造是在真空室内进行的，同时膜层的生长又是一个微观过程,而目前能够直接控制的却是一些与膜层质量有间接关系的宏观因素的宏观过程。即便如此，人们还是通过长期坚持不懈的实验研究，找到了膜层质量与这些宏观因素之间的规律性关系，成为指导游膜器件制造的工艺规范，对于制造质量优良的光学薄膜器件发挥着重要的作用。
查看详情
20
2024-03
中频溅射与脉冲溅射镀膜
直流反应磁控溅射镀膜工艺的弱点及其改进方法
由于直流磁控反应溅射镀膜能够精确地控制工艺参数和膜层特性，沉积速率高，易于实现大面积镀膜，因此已经成为薄膜沉积技术中的重要方法之一，活跃在真空镀膜的领域中。然而，由于这种镀膜工艺，不但靶材利用率低、溅射产额有限、靶在反应溅射过程中非刻蚀区堆积着因气相反应而生成的绝缘层，并且在其绝缘层表面上积累了大量的正电荷，最终会引起靶面电流放电，导致从靶面上喷射液滴，这不但可使正在生长着的薄膜产生严重的缺陷，而且还会随着电弧放电频率的进一步增长而使溅射过程难于进行。此外，在反应过程中由于磁控阴极的外部边缘以及周围的阳极都会被覆盖上绝缘层，使阳极的作用逐渐消失，等离子体阻抗不断增加，从而可能造成工艺参数不稳定，成膜的重复性变坏等现象的出现。
查看详情
15
2024-03
离子束辅助沉积的方式及其能量选择范围
离子束辅助沉积的方式主要有两种，一是动态混合式；二是静态混合式。前者是指膜在生长过程中始终伴随着一定的能量和束流的离子轰击而成膜的；后者则是预先在基体表面上沉积一层小于几纳米厚度的膜层，然后再进行动态的离子轰击，并且可如此重复多次而生长成膜层。
查看详情
