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2023-11
薄膜的光学特征
以金属薄膜为例，其光学特性表现为：1.势透射率决定于金属膜的光学常数和出射介质的光学导纳，而与人射介质无关
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2023-11
离子束辅助沉积技术
离子束辅助沉积技术是把离子束注入与气相沉积镀膜技术相结合的离子表面复合处理技术。在离子注人材料表面改性过程中，无论是半导体材料还是工程材料，往往都希望改性层的厚度远超离子注入的厚度，但又希望保留离子注入工艺的优点，譬如改性层与基体间无尖锐界面，可在室温下处理工件等。因此，将离子注入与镀膜技术结合在一起，在镀膜的同时，将具有一定能量的离子不断地入射到膜与基材的界面，借助于级联碰撞使得界面原子混合，在初始界面附近形成原子混合过渡区，以提高膜与基材之间的结合力。然后，在原子混合区上，再在离子束参与下，继续生长出要求厚度和特性的薄膜。
这就是离子束辅助沉积 (IBED)，既保留了离子注入工艺的特点，又可实现在基体上覆以与基材完全不同的薄膜材料。
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2023-11
CVD技术的基本原理
CVD技术是建立在化学反应基础上的，通常把反应物是气态而生成物之一是固态的反应称为CVD反应，因此其化学反应体系必须满足以下三个条件:
(1)在沉积温度下，反应物必须有足够高的蒸气压。若反应物在室温下全部为气态，则沉积装置就比较简单，若反应物在室温下挥发很小，则需要加热使其挥发，有时还需要用运载气体将其带人反应室。
(2)反应生成物中，除了所需要的沉积物为固态之外，其余物质都必须是气态。
(3)沉积薄膜的蒸气压应足够低，以保证在沉积反应过程中，沉积的薄膜能够牢固地附着在具有一定沉积温度的基片上。基片材料在沉积温度下的蒸气压也必须足够低。
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2023-11
离子束辅助沉积效果
离子注入的主要不足之处是其注入层比较浅，约为百纳米数量级。这一深度对材料表面改性，特别是金属材料表面改性来说显得不足。为了弥补这一缺点。人们把离子注入与膜层沉积过程结合起来，形成了离子束辅助沉积表面改性技术。离子束辅助沉积技术是把离子注入与气相沉积薄膜相结合的材料表面改性新技术。
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