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溅射SiO₂时的拱起问题-广东振华真空镀膜设备

今天要讲一下有关连续运行SiO₂溅射靶的问题,特别是关于电弧的问题。

溅射靶材上总会有一些“重新沉积”,在这里,从靶材表面的碰撞落下的杂散分子会重新附着在靶材表面上。在您的情况下,将非磁控平面二极管阴极组件与RF发生器一起使用应该不是问题。离子应随机撞击靶表面,而不应在靶表面的任何选定区域内。射频发生器应在整个靶表面上均匀地提供等离子体,随机且均等地轰击SiO₂靶表面的再沉积区域和原始区域。所得膜的化学计量就会有所不同,因为靶表面的重新沉积(Si)x(O₂-x)区域可能略微富含硅或富含氧,具体取决于添加到硅片中的氧气分压的大小。

如果存在电弧,则可能是在暗区与靶表面之间的间隙内积聚了材料。该距离应在1-3mm左右,并且暗区屏蔽罩应始终伸出靶表面约3mm左右。保持此间隙区域清洁,即使这意味着偶尔打磨或研磨组件。电弧放电意味着由于某种原因等离子体正要接地。确保射频发生器上的反射功率没有随时间漂移,该值必须保持绝对为零。您的射频发生器设置为恒定电压,恒定电流还是恒定功率?检查并确认无论使用何种功率水平,电流和电压都要在时间上都保持恒定。某些情况可能正在发生变化,例如目标中的阻抗发生了变化。

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