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突破新的溅射靶-广东振华真空镀膜设备

关于如何处理新的溅射靶以使其在等离子体沉积过程中能长时间使用的问题 ,
最好的办法是一劳永逸地解决它。

通常,在实际沉积到给定的基片上之前,应该对新的溅射靶进行预处理或“突破”。这是源于靶制造的过程中的常用的步骤。由于制造过程中的机械加工,这种“突破”程序减少了可能在靶材内部引入的任何内部应力,并消除了可能在加工过程中引发的任何表面污染。这种表面污染可能来自氧化物或氮化物形成薄层(由于与空气接触),氢化物形成(与空气中的湿气接触)或清洁溶剂(靶的准备和清洁程序)。

通常,靶调整包括以下步骤:以可能的最低功率密度点燃初始等离子体,将等离子体保持或“浸泡”在此水平下一段给定的时间长度(通常每增量为几分钟),然后以一定的增量缓慢提高功率密度(通常为25至50瓦左右),然后以增加的功率水平再次“浸泡”。这些分别称为“上升”和“浸泡”步骤。该过程应根据需要重复多次,直到达到用于操作/生产的预期或指定的功率密度并且等离子体稳定为止。将靶在此预期的运行水平下浸泡几分钟后,应再增加一次,以确保靶在正常运行过程中绝对平衡运行。

对于后续运行(在完成初始条件调整之后),无需为每次再用重复此过程,尽管不必多说,绝对不建议过快地提高任何给定靶的功率水平由于靶内部(顶部)产生的热量引起的靶内热变化的结果,热量是由于等离子体中离子轰击导致原子键断裂升温放热,然后通过靶的厚度方向耗散到背面(底部)在磁性增强的阴极组件中进行水冷的地方。